معرض تقنية الطحن اليابان 2025 على وشك الافتتاح

من 5 إلى 7 مارس 2025، سنشارك في معرض تقنية الطحن اليابان 2025 في مركز ماكوهاري للمعارض، تشيبا، اليابان. اأتِ وقم بزيارتنا على الجناح G - 021 .

ما هي المنتجات التي سنتعرض لها في تقنية الطحن؟

1. عجلة طحن رقيقة للشريحة نصف الموصلة

مصممة خصيصًا لتصنيف الشرائح شبه الموصلة. من خلال تعديل الرابط والملدن، يمكنها طحن المواد الصعبة التي كانت تتطلب حبيبات دقيقة بشكل فعال، مما يقلل من وقت الطحن ويحقق معالجة مرآة عالية السرعة للشرائح.

يمكنها طحن المواد الصعبة بسرعة والحصول على سطح مرآتي. تحتوي على طبقة حبيبات قاطعة ذات مسامية عالية، وتتميز بالقدرة القوية على القطع، ويمكنها توفير سائل الطحن إلى نقطة الطحن بكفاءة، مما يمكّن المعالجة بأقل ضرر.

2. عجلة طحن الخلفية ذات الرباط المعدني

توفر رابطة المعدن قوة تحمل قوية للحبيبات الخشنة، مما يضمن كفاءة عالية في الطحن وعمر خدمة طويل. تُستخدم بشكل أساسي لطحن الوجه الخلفي لأقراص شبه الموصلات، مما يساعد في تحقيق التحكم الدقيق في السماكة والانسيابية السطحية.
مقاومة عالية للتآكل واحتفاظ قوي بالحبيبات. يمكنها تحمل قوى الطحن العالية والحفاظ على أداء مستقر أثناء عملية الطحن الخلفي، مما يساهم في معالجة الأقراص عالية الجودة.

3. عجلة طحن الحافة برابطة معدنية

في صناعة شبه الموصلات، تكون هناك متطلبات صارمة بشأن دقة الشكل، مقاومة التآكل وقدرة طحن مستقرة لعجلات طحن الحافة. من خلال ضبط نوع الرابط، حجم الجسيمات وتركيزها، يمكن تحقيق الدقة والجودة المطلوبة لسطح الطحن وتعظيم أداء الطحن.

يحقق جودة سطح معالجة ممتازة. شكل خندق العجلة موحد ومستقر ويمكن تبادله. يناسب الطحن عالي السرعة والكفاءة، ولديه عمر خدمة طويل وأداء تكلفة عالي. كما يتمتع بقدرة ذاتية على التحديد وحدة عالية.

4. قطاع الماس

تم تصنيعه باستخدام تقنية الكهروتشميع، حيث يتم لصق حبيبات الماس بشكل متين على قاعدة الشفرة. يستخدم لقطع أقراص الصلب شبه الموصلة، ويقدم دقة وكفاءة عالية في القطع.
ضمان عملية الكهروتشميع لتوزيع متساوٍ لحبيبات الماس، مما يؤدي إلى أداء قطع متسق. لديه سرعة قطع عالية ويمكن تحقيق قطع دقيقة بعرض كيرف صغير جدًا، مما يقلل من هدر المواد.

نرحب بصدق جميع العملاء وزملاء الصناعة لزيارة جناحنا في معرض تقنية الطحن. لنستكشف معًا عالم تقنية الطحن المتقدمة ونتطلع إلى تحقيق إنجازات لامعة في مجال شبه الموصلات.